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MIXA60WB1200TEH 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 MIXA60WB1200TEH은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MIXA60WB1200TEH 자료 제공

부품번호 MIXA60WB1200TEH 기능
기능 Converter - Brake - Inverter Module
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


MIXA60WB1200TEH 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MIXA60WB1200TEH 데이터시트, 핀배열, 회로
Converter - Brake - Inverter
Module
XPT IGBT
Part name (Marking on product)
MIXA60WB1200TEH
MIXA60WB1200TEH
Three Phase
Rectifier
Brake Three Phase
Chopper
Inverter
VRRM = 1600 V VCES = 1200 V VCES = 1200 V
IDAVM = 190 A IC25 = 60 A IC25 = 85 A
IFSM = 700 A VCE(sat) = 1.8 V VCE(sat) = 1.8 V
21 22
D11 D13 D15
D7
16
D1
T1
18
D3
T3
20
D5
T5
7
1 23
15
17
6
19
5
4
NTC
8
D12 D14 D16 14
23 24
T7 11
10
D2
T2
12
D4
T4
13 T6 D6
9
E 72873
Pin configuration see outlines.
Features:
• Easy paralleling due to the positive
temperature coefficient of the on-state
voltage
• Rugged XPT design
(Xtreme light Punch Through) results in:
- short circuit rated for 10 µsec.
- very low gate charge
- square RBSOA @ 3x IC
- low EMI
• Thin wafer technology combined with
the XPT design results in a competitive
low VCE(sat)
• SONIC™ diode
- fast and soft reverse recovery
- low operating forward voltage
Application:
• AC motor drives
• Solar inverter
• Medical equipment
• Uninterruptible power supply
• Air-conditioning systems
• Welding equipment
• Switched-mode and
resonant-mode power supplies
Package:
• "E3-Pack" standard outline
• Insulated copper base plate
• Soldering pins for PCB mounting
• Temperature sense included
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20110916e
1-8




MIXA60WB1200TEH pdf, 반도체, 판매, 대치품
Input Rectifier Bridge D11 - D16
Symbol
VRRM
IFAV
IDAVM
IFSM
I2t
Definitions
max. repetitive reverse voltage
average forward current
max. average DC output current
max. forward surge current
I2t value for fusing
Ptot total power dissipation
VF forward voltage
IR reverse current
RthJC
thermal resistance junction to case
Temperature Sensor NTC
Conditions
sine 180°
rect.; d = 1/3
t = 10 ms; sine 50 Hz
t = 10 ms; sine 50 Hz
IF = 80 A
VR = VRRM
(per diode)
Symbol
R25
B25/50
Module
Definitions
resistance
Conditions
Symbol
TVJ
TVJM
Tstg
VISOL
CTI
Md
dS
dA
Rpin-chip
RthCH
Weight
Definitions
operating temperature
max. virtual junction temperature
storage temperature
isolation voltage
comparative tracking index
mounting torque (M5)
creep distance on surface
strike distance through air
resistance pin to chip
thermal resistance case to heatsink
Equivalent Circuits for Simulation
I
V0
Symbol
V0
R0
V0
R0
V0
R0
V0
R0
V0
R0
R0
Definitions
rectifier diode
IGBT
free wheeling diode
IGBT
free wheeling diode
Conditions
IISOL < 1 mA; 50/60 Hz
with heatsink compound
Conditions
D8 - D13
T1 - T6
D1 - D6
T7
D7
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
© 2011 IXYS All rights reserved
MIXA60WB1200TEH
TVJ = 25°C
TC = 80°C
TC = 80°C
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
TC = 25°C
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
min.
Ratings
typ. max.
1600
70
190
700
620
1920
2450
192
1.2 1.5
1.2
0.05 0.1
1.5
0.65
Unit
V
A
A
A
A
A2s
A2s
W
V
V
mA
mA
K/W
TC = 25°C
min.
4.75
Ratings
typ. max.
5.0 5.25
3375
Unit
kW
K
min.
-40
-40
3
6
6
Ratings
typ. max.
125
150
125
3000
-
6
5
0.01
300
Unit
°C
°C
°C
V~
Nm
mm
mm
mW
K/W
g
Ratings
min. typ. max.
TVJ = 150°C
0.85
3.9
TVJ = 150°C
1.1
25.1
TVJ = 150°C
1.22
13
TVJ = 150°C
1.1
40
TVJ = 150°C
1.2
27.0
TC = 25°C unless otherwise stated
Unit
V
mW
V
mW
V
mW
V
mW
V
mW
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4페이지










MIXA60WB1200TEH 전자부품, 판매, 대치품
MIXA60WB1200TEH
Inverter D1 - D6
120
100
80
IF
60
[A]
40
20
TVJ = 125°C
TVJ = 25°C
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
VF [V]
Fig. 7 Typ. Forward current versus VF
3.0
14
12
10
Qrr 8
[µC] 6
4
TVJ = 125°C
VR = 600 V
120 A
60 A
30 A
2
600 700 800 900 1000 1100 1200 1300
diF /dt [A/µs]
Fig. 8 Typ. reverse recov.charge Qrr vs. di/dt
90
80
70
60
IRR 50
TVJ = 125°C
VR = 600 V
120 A
60 A
30 A
[A] 40
30
20
10
0
600 700 800 900 1000 1100 1200 1300
diF /dt [A/µs]
Fig. 9 Typ. peak reverse current IRM vs. di/dt
700
600
500
trr 400
[ns] 300
200
TVJ = 125°C
VR = 600 V
120 A
60 A
30 A
100
0
600 700 800 900 1000 1100 1200
diF /dt [A/µs]
Fig. 10 Typ. recovery time trr versus di/dt
1300
4.0
TVJ = 125°C
VR = 600 V
3.2
120 A
1
Diode
IGBT
Erec 2.4
[mJ] 1.6
60 A
30 A
0.8
0.0
600 700 800 900 1000 1100 1200 1300
diF /dt [A/µs]
Fig. 8 Typ. recovery energy Erec versus di/dt
ZthJC 0.1
[K/W]
IGBT
FRD
Ri
1 0.1
ti Ri ti
0.002 0.137 0.002
2 0.05 0.03 0.1 0.03
3 0.21 0.03 0.233 0.03
0.01
0.001
4 0.07 0.08 0.13
0.01
0.1
1
0.08
10
tp [s]
Fig. 9 Typ. transient thermal impedance
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20110916e
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