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30N45 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 30N45은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 30N45 자료 제공

부품번호 30N45 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode MFET
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


30N45 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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30N45 데이터시트, 핀배열, 회로
Preliminary Data Sheet
MegaMOSTMFET
N-Channel Enhancement Mode
VDSS
IXTH 30N45 450 V
IXTH 30N50 500 V
ID25
RDS(on)
30 A 0.16
30 A 0.17
TO-247 AD
Symbol
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID25
IDM
PD
TJ
TJM
T
stg
TL
Md
Weight
Symbol
VDSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
R
DS(on)
Test Conditions
Maximum Ratings
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M
Continuous
Transient
30N45
30N50
30N45
30N50
450
500
450
500
±20
±30
TC = 25°C
TC = 25°C, pulse width limited by TJM
TC = 25°C
30
120
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
°C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Mounting torque
300 °C
1.13/10 Nm/lb.in.
6g
Test Conditions
Characteristic Values
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
VGS = 0 V, ID = 5 mA
30N50
30N45
BV temperature coefficient
DSS
VDS = VGS, ID = 250µA
V temperature coefficient
GS(th)
VGS = ±20 VDC, VDS = 0
VDS = 0.8 • VDSS
V =0V
GS
TJ = 25°C
T
J
=
125°C
V = 10 V, I = 0.5 I
GS D D25
30N50
30N45
Pulse test, t 300 µs, duty cycle d 2 %
500
450
.087
2
-0.25
V
V
%/k
4V
%/k
±100 nA
200 µA
3 mA
0.17
0.16
TO-247 SMD
( ...S )
D (TAB)
G
E
C (TAB)
G = Gate,
D = Drain,
S = Source, TAB = Drain
*Add suffix letter "S" for TO-247 SMD
package option (EX:IXTH30N50S)
Features
International standard package
JEDEC TO-247 AD
Low
R
DS (on)
HDMOSTM
process
Rugged polysilicon gate cell structure
High commutating dv/dt rating
Fast switching times
Applications
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Motor control
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
DC choppers
Advantages
Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
Space savings
High power density
© 1997 IXYS All rights reserved
94569D(5/97)





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