Datasheet.kr   

4953A 데이터시트 PDF




Tuofeng Semiconductor에서 제조한 전자 부품 4953A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 4953A 자료 제공

부품번호 4953A 기능
기능 Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
제조업체 Tuofeng Semiconductor
로고 Tuofeng Semiconductor 로고


4953A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 4 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

4953A 데이터시트, 핀배열, 회로
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology 4Co9.,5L3tdA
4953A
Dual 30V P-Channel PowerTrench® MOSFET
General Description
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench
process. It has been optimized for power management
applications requiring a wide range of gave drive
voltage ratings (4.5V – 25V).
Applications
Power management
Load switch
Battery protection
Features
–5.3 A, –30 V
RDS(ON) = 55 m@ VGS = –10 V
RDS(ON) = 85 m@ VGS = –4.5 V
Low gate charge (6nC typical)
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
High power and current handling capability
DD1DD22D2
DD1
SO-8
Pin 1 SO-8
S2GG2
SS1GS1 S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDSS
V GSS
ID
PD
PD
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
– Pulsed
Power Dissipation for Dual Operation
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
TJ, TSTG
(Note 1c)
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
4953A
4953A
13’’
5
6 Q1
7
Q2
8
4
3
2
1
Ratings
–30
±20
–5.3
–20
2
1.6
1
0.9
–55 to +175
78
40
Tape width
12mm
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
Quantity
2500 units




4953A pdf, 반도체, 판매, 대치품
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology C4o.9, L5td3A
Typical Characteristics
10
ID = -5A
8
6
VDS = -5V
-10V
-15V
4
2
0
02
46
8 10
Qg, GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
RDS(ON) LIMIT
10
1
VGS = -10V
SINGLE PULSE
0.1 RθJA = 135 oC/W
T A = 25oC
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
100µ s
0.01
0.1
1 10
-VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
800
f = 1 MHz
700 VGS = 0 V
600
CISS
500
400
300
COSS
200
100
0
0
CRSS
5 10 15 20 25
-V DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 8. Capacitance Characteristics.
50
SINGLE PULSE
RθJA = 135°C/W
40 TA = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1 1
t1, TIME (sec)
10 100
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
RθJA(t) = r(t) + RθJA
RθJA = 135 °C/W
P(pk)
t1
t2
TJ - TA = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10 100 1000
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.

4페이지












구       성 총 4 페이지수
다운로드[ 4953A.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
4953

Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET

Tuofeng Semiconductor
Tuofeng Semiconductor
4953A

Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET

Tuofeng Semiconductor
Tuofeng Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵