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2015 데이터시트 PDF




Tuofeng Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2015은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2015 자료 제공

부품번호 2015 기능
기능 Single P-Channel Power MOSFET
제조업체 Tuofeng Semiconductor
로고 Tuofeng Semiconductor 로고


2015 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2015 데이터시트, 핀배열, 회로
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
2015
Single P-Channel, -20V, -2.4A, Power MOSFET
VDS (V)
-20
Rds(on) (ȍ)
0.081@ VGS=4.5V
0.103@ VGS=2.5V
Descriptions
The 2015 is P-Channel enhancement
MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench
technology and design to provide excellent RDS (ON)
with low gate charge. This device is suitable for use
in DC-DC conversion, power switch and charging
circuit. Standard Product 2015 is Pb-free and
Halogen-free.
Features
z Trench Technology
z Supper high density cell design
z Excellent ON resistance for higher DC current
z Extremely Low Threshold Voltage
z Small package SOT-23
Applications
z Driver for Relay, Solenoid, Motor, LED etc.
z DC-DC converter circuit
z Power Switch
z Load Switch
z Charging
SOT-23
D
3
12
GS
Pin configuration (Top view)




2015 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
Typical Characteristics (Ta=25oC, unless otherwise noted)
10
V =-4.5V
GS
V =-4V
GS
8 V =-3V
GS
5
V =-5V
DS
4
6
V =-2.5V
3
GS
2015
T=-50oC
T=25oC
T=125oC
42
V =-1.5V
GS
21
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
-V -Drain to Source Voltage(V)
DS
Output characteristics
0
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
-V -Gate to Source Voltage(V)
GS
Transfer characteristics
160
140
V =-1.8V
GS
120
100
V =-2.5V
GS
80 V =-4.5V
GS
60
40
12345
-I -Drain to Source Current(A)
DS
On-Resistance vs. Drain current
140
120
V =-4.5V,I =-2.7A
GS D
100
80
60
40
20
-50
0 50 100
Temperature(oC)
150
On-Resistance vs. Junction temperature
280
240
I =-2.7A
D
200
160
120
80
40
1.0
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
-V -Gate to Source Voltage(V)
GS
4.5
On-Resistance vs. Gate-to-Source voltage
1.0
I =-250uA
D
0.8
0.6
0.4
0.2
-50
0 50 100
Temperature(oC)
150
Threshold voltage vs. Temperature

4페이지










2015 전자부품, 판매, 대치품
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
Package outline dimensions
SOT-23
2015
Symbol
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
e1
L
L1
©
Min.
0.900
0.000
0.900
0.300
0.080
2.800
1.200
2.250
1.800
0.300
0e
Dimensions in millimeter
Typ.
1.025
0.050
0.975
0.400
0.115
2.900
1.300
2.400
0.950TYP
1.900
0.550REF
Max.
1.150
0.100
1.050
0.500
0.150
3.000
1.400
2.550
2.000
0.500
8e

7페이지


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