Datasheet.kr   

2016 데이터시트 PDF




Tuofeng Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2016은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2016 자료 제공

부품번호 2016 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 Tuofeng Semiconductor
로고 Tuofeng Semiconductor 로고


2016 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 4 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

2016 데이터시트, 핀배열, 회로
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
2016
2016
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
The 2016 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 1.8V. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
Features
VDS (V) = 20V
ID = 4.2 A (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 50m(VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 63m(VGS = 2.5V)
TO-236
(SOT-23)
Top View
G
D
S
D
G
S
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
VGS
Continuous Drain
Current A
TA=25°C
ID
Pulsed Drain Current B
IDM
TA=25°C
Power Dissipation A TA=70°C
PD
Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG
Maximum
20
±12
4.2
15
1.4
0.9
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Lead C
t 10s
Steady-State
Steady-State
Symbol
RθJA
RθJL
Typ
70
100
63
Max
90
125
80
Units
V
V
A
W
°C
Units
°C/W
°C/W
°C/W




2016 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
2016
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
5
VDS=10V
4 ID=4.2A
800
600
3
400
2
200
1
Coss
Ciss
Crss
0
02468
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
0 5 10 15 20
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
100µs
10.0 RDS(ON)
limited
1ms 10µs
0.1s
1.0 10ms
1s
0.1
0.1
10s
DC
1
10
VDS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
20
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
15
10
5
0
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
10
D=Ton/T
In descending order
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
RθJA=90°C/W
1
0.1
0.01
0.00001
Single Pulse
PD
Ton T
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
100
1000

4페이지












구       성 총 4 페이지수
다운로드[ 2016.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
2010

Double Sided Chip Resistor

TT electronics
TT electronics
2010DN

FYP2010DN

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵