Datasheet.kr   

D5N50F 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 D5N50F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 D5N50F 자료 제공

부품번호 D5N50F 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


D5N50F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

D5N50F 데이터시트, 핀배열, 회로
FDD5N50F
N-Channel MOSFET, FRFET
500V, 3.5A, 1.55
Features
• RDS(on) = 1.25( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 1.75A
• Low gate charge ( Typ. 11nC)
• Low Crss ( Typ. 5pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
• RoHS compliant
December 2007
UniFETTM
tm
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar
stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pluse in the avalanche
and commutation mode. These devices are well suited for high
efficient switched mode power suppliesand active power factor-
correction.
D
GD
S
D-PAK
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted*
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
EAS
IAR
EAR
dv/dt
PD
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Drain Current
-Continuous (TC = 25oC)
-Continuous (TC = 100oC)
- Pulsed
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation
(TC = 25oC)
- Derate above 25oC
TJ, TSTG
TL
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,
1/8” from Case for 5 Seconds
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1)
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
G
S
Ratings
500
±30
3.5
2.1
14
257
3.5
4
4.5
40
0.3
-55 to +150
300
Ratings
1.4
110
Units
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/oC
oC
oC
Units
oC/W
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD5N50F Rev. A1
1
www.fairchildsemi.com




D5N50F pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-75
*Notes:
1. VGS = 0V
2. ID = 250µA
-25 25 75 125
TJ, Junction Temperature [oC]
175
Figure 9. Maximum Drain Current
4
Figure 8. Maximum Safe Operating Area
30
40µs
10 100µs
1ms
10ms
1 DC
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
0.1
0.01
1
*Notes:
1. TC = 25oC
2. TJ = 150oC
3. Single Pulse
10 100
VDS, Drain-Source Voltage [V]
1000
3
2
1
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature [oC]
Figure 10. Transient Thermal Response Curve
3
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01 Single pulse
0.003
10-5
10-4
PDM
*Notes:
t1
t2
1. ZθJC(t) = 1.4oC/W Max.
2. Duty Factor, D= t1/t2
3. TJM - TC = PDM * ZθJC(t)
10-3
10-2
10-1
100
101
102
Rectangular Pulse Duration [sec]
FDD5N50F Rev. A1
4 www.fairchildsemi.com

4페이지










D5N50F 전자부품, 판매, 대치품
Mechanical Dimensions
D-PAK
FDD5N50F Rev. A1
Dimensions in Millimeters
7 www.fairchildsemi.com

7페이지


구       성 총 8 페이지수
다운로드[ D5N50F.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
D5N50

5A N-Channel MOSFET

Alpha & Omega Semiconductors
Alpha & Omega Semiconductors
D5N50F

N-Channel MOSFET

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵