Datasheet.kr   

HM5N60K 데이터시트 PDF




H&M Semiconductor에서 제조한 전자 부품 HM5N60K은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 HM5N60K 자료 제공

부품번호 HM5N60K 기능
기능 600V N-Channel MOSFET
제조업체 H&M Semiconductor
로고 H&M Semiconductor 로고


HM5N60K 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 9 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

HM5N60K 데이터시트, 핀배열, 회로
HM5N60K / HM5N60I
HM5N60K / HM5N60I
600V N-Channel MOSFET
General Description
This Power MOSFET is produced using SL semi‘s
advanced planar stripe DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switched mode power supplies,
active power factor correction based on half bridge
topology.
Features
• 4.5A, 600V, RDS(on) = 2.50@VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 16nC)
• High ruggedness
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
{D
TO-252
TO-251
◀▲
{G
{S
Absolute Maximum Ratings TC = 25°Cunless otherwise noted
Symbol
Parameter
VDSS
Drain-Source Voltage
ID Drain Current - Continuous (TC = 25°C)
- Continuous (TC = 100°C)
IDM Drain Current - Pulsed
(Note 1)
VGSS
Gate-Source Voltage
EAS Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
EAR Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
PD Power Dissipation (TC = 25°C)
- Derate above 25°C
TJ, TSTG
Operating and Storage Temperature Range
TL
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8" from case for 5 seconds
* Drain current limited by maximum junction temperature.
HM5N60K
HM5N60I
600
4.5 4.5*
2.6 2.6 *
18 18 *
± 30
210
10.0
4.5
100 33
0.8 0.26
-55 to +150
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC
RθCS
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
HM5N60K
1.25
0.5
62.5
HM5N60I
3.79
--
62.5
Units
°C/W
°C/W
°C/W
Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd
http//www.hmsemi.com




HM5N60K pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (Continued)
HM5N60K / HM5N60I
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for HM5N60K
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for HM5N60I
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd
http//www.hmsemi.com

4페이지










HM5N60K 전자부품, 판매, 대치품
HM5N60K / HM5N60I
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
I SD
D riv e r
RG
V GS
+
V DS
_
L
S am e T ype
as D U T
• d v /d t c o n tro lle d b y R G
• IS D c o n tro lle d b y p u ls e p e rio d
V DD
V GS
( D riv e r )
I SD
(DUT )
V DS
(DUT )
D
=
- -G- - a- -t-e- - -P- -u- l-s- e- - -W- - -i -d- t-h- -
G a te P u ls e P e rio d
10V
IFM , B o d y D io d e F o rw a rd C u rre n t
d i/d t
IR M
B o d y D io d e R e v e rs e C u rre n t
B o d y D io d e R e c o v e ry d v /d t
V SD
B o d y D io d e
F o rw a rd V o lta g e D ro p
V DD
Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd
http//www.hmsemi.com

7페이지


구       성 총 9 페이지수
다운로드[ HM5N60K.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
HM5N60

N-CHANNEL MOSFET

H&M Semiconductor
H&M Semiconductor
HM5N60

N-CHANNEL MOSFET

H&M Semiconductor
H&M Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵