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2N6660 데이터시트 PDF




Seme LAB에서 제조한 전자 부품 2N6660은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2N6660 자료 제공

부품번호 2N6660 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Seme LAB
로고 Seme LAB 로고


2N6660 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2N6660 데이터시트, 핀배열, 회로
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE POWER MOSFET
2N6660
VDSS = 60V , ID = 1.0A, RDS(ON) = 3.0
Fast Switching
Low Threshold Voltage (Logic Level)
Low CISS
Integral Source-Drain Body Diode
Hermetic Metal TO39 Package
High Reliability Screening Options Available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise stated)
VDS Drain – Source Voltage
60V
VGS Gate – Source Voltage
±20V
ID
Continuous Drain Current
TC = 25°C
1.0A
IDM Pulsed Drain Current (1)
3.0A
PD
Total Power Dissipation at
TC 25°C
5W
De-rate TC > 25°C
40mW/°C
PD
Total Power Dissipation at
TA 25°C
725mW
De-rate TA > 25°C
5.8mW/°C
TJ Operating Temperature Range
-65 to +150°C
Tstg Storage Temperature Range
-65 to +150°C
THERMAL PROPERTIES
Symbols Parameters
RθJC
Thermal Resistance, Junction To Case
RθJA
Thermal Resistance, Junction To Ambient
Notes
(1) Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
(2) Pulse Width 300us, δ ≤ 2%
Min.
Typ.
Max. Units
25 °C/W
172 °C/W
Semelab Limited reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice.
Information furnished by Semelab is believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However
Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab encourages customers to
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Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565 Fax +44 (0) 1455 552612 Email: [email protected]
Document Number 8263
Website: http://www.semelab-tt.com
Issue 2
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