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PDF BUW70 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BUW70 | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUW70
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 100V(Min.)
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 0.8V(Max.) @IC= 4A
·High Speed Switching
APPLICATIONS
·Designed for use in clocked voltage converters.
Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VCBO
Collector-Base Voltage
VCEO Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
IB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25℃
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
VALUE UNIT
150 V
100 V
7V
10 A
3A
80 W
150 ℃
-65~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 1.5 ℃/W
isc website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BUW70 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |  Siemens Semiconductor Group |
| BUW70 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| BUW71 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR | Siemens Semiconductor Group |
| BUW71 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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