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MTB020N03KL3 데이터시트 PDF




Cystech Electonics에서 제조한 전자 부품 MTB020N03KL3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MTB020N03KL3 자료 제공

부품번호 MTB020N03KL3 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 Cystech Electonics
로고 Cystech Electonics 로고


MTB020N03KL3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MTB020N03KL3 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C143L3
Issued Date : 2016.01.22
Revised Date : 2016.02.22
Page No. : 1/9
30V N-channel Enhancement Mode MOSFET
MTB020N03KL3 BVDSS
ID@VGS=10V, TA=25°C
RDSON@VGS=10V, ID=4A
RDSON@VGS=4.5V, ID=3A
30V
7.4A
21.4mΩ (typ)
25.7mΩ (typ)
Features
Single Drive Requirement
Low On-resistance
Fast Switching Characteristic
ESD protected gate
Pb-free lead plating package
Symbol
MTB020N03KL3
GGate
SSource
DDrain
Outline
SOT-223
D
S
D
G
Ordering Information
Device
MTB020N03KL3-0-T3-G
Package
Shipping
SOT-223
(Pb-free lead plating and halogen-free package)
2500 pcs / Tape & Reel
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS
compliant and green compound products
Packing spec, T3 :2500 pcs/tape & reel, 13” reel
Product rank, zero for no rank products
Product name
MTB020N03KL3
CYStek Product Specification




MTB020N03KL3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C143L3
Issued Date : 2016.01.22
Revised Date : 2016.02.22
Page No. : 4/9
Typical Characteristics
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
Typical Output Characteristics
10V,9V,8V,7V,6V,5V
4.5V
4V
3.5V
VGS=3V
1 23 4
VDS, Drain-Source Voltage(V)
5
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
100
Brekdown Voltage vs Junction Temperature
1.4
1.2
1
0.8
0.6 ID=250μA,
VGS=0V
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
VGS=0V
1
Tj=25°C
VGS=4.5V
0.8
0.6 Tj=150°C
VGS=10V
0.4
10
0.01
0.1 1 10
ID, Drain Current(A)
100
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
150
120 ID=4A
90
60
30
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-Source Voltage(V)
0.2
0
4 8 12 16
IDR, Reverse Drain Current(A)
20
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
2.4
2 VGS=10V, ID=4A
RDS(ON)@Tj=25°C : 21.4mΩ typ.
1.6
1.2
0.8
VGS=4.5V, ID=3A
0.4 RDS(ON)@Tj=25°C : 25.7mΩtyp.
0
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
MTB020N03KL3
CYStek Product Specification

4페이지










MTB020N03KL3 전자부품, 판매, 대치품
Reel Dimension
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C143L3
Issued Date : 2016.01.22
Revised Date : 2016.02.22
Page No. : 7/9
Carrier Tape Dimension
MTB020N03KL3
CYStek Product Specification

7페이지


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