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MTB080P06N3 데이터시트 PDF




Cystech Electonics에서 제조한 전자 부품 MTB080P06N3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MTB080P06N3 자료 제공

부품번호 MTB080P06N3 기능
기능 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 Cystech Electonics
로고 Cystech Electonics 로고


MTB080P06N3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MTB080P06N3 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C069N3
Issued Date : 2016.03.24
Revised Date :
Page No. : 1/ 9
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
MTB080P06N3
BVDSS
ID@VGS=-10V, TA=25°C
RDSON(TYP)
VGS=-10V, ID=-2A
VGS=-4.5V, ID=-1.7A
-60V
-2.5A
80mΩ
109mΩ
Features
Advanced trench process technology
High density cell design for ultra low on resistance
Pb-free lead plating and halogen-free package
Equivalent Circuit
MTB080P06N3
Outline
SOT-23
D
GGate
SSource
DDrain
GS
Ordering Information
Device
MTB080P06N3-0-T1-G
Package
SOT-23
(Pb-free lead plating and halogen-free package)
Shipping
3000 pcs / tape & reel
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant and
green compound products
Packing spec, T1 : 3000 pcs / tape & reel,7” reel
Product rank, zero for no rank products
Product name
MTB080P06N3
CYStek Product Specification




MTB080P06N3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C069N3
Issued Date : 2016.03.24
Revised Date :
Page No. : 4/ 9
Typical Characteristics
Typical Output Characteristics
10
10V,9V,8V,7V,6V,5V, 4.5V
8
4V
6
3.5V
4
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature
1.4
1.2
1.0
0.8
2 -VGS=3V
0
012345
-VDS, Drain-Source Voltage(V)
0.6 ID=-250μA,
VGS=0V
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
200
180
160
140
120 VGS=-4.5V
100
80
60
VGS=-10V
40
20
0
0.01
0.1 1
-ID, Drain Current(A)
10
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
VGS=0V
1.0
Tj=25°C
0.8
0.6 Tj=150°C
0.4
0.2
0
2 46 8
-IDR, Reverse Drain Current(A)
10
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
500
ID=-2A
400
300
200
100
0
0 2 4 6 8 10
-VGS, Gate-Source Voltage(V)
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
2.0
1.8 VGS=-10V, ID=-2A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6 RDS(ON)@Tj=25°C : 80 mΩ typ
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
MTB080P06N3
CYStek Product Specification

4페이지










MTB080P06N3 전자부품, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Reel Dimension
Spec. No. : C069N3
Issued Date : 2016.03.24
Revised Date :
Page No. : 7/ 9
Carrier Tape Dimension
MTB080P06N3
CYStek Product Specification

7페이지


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