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MTB110P08KJ3 데이터시트 PDF




Cystech Electonics에서 제조한 전자 부품 MTB110P08KJ3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MTB110P08KJ3 자료 제공

부품번호 MTB110P08KJ3 기능
기능 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 Cystech Electonics
로고 Cystech Electonics 로고


MTB110P08KJ3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MTB110P08KJ3 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C123J3
Issued Date : 2016.07.20
Revised Date :
Page No. : 1/9
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB110P08KJ3 BVDSS
ID@VGS=-10V, TC=25°C
ID@VGS=-10V, TA=25°C
RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-5A
RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-3A
Features
Low Gate Charge
Simple Drive Requirement
ESD Protected Gate
Pb-free Lead Plating & Halogen-free Package
-80V
-11.3A
-3.2A
103mΩ(typ)
141mΩ(typ)
Equivalent Circuit
MTB110P08KJ3
Outline
TO-252(DPAK)
GGate
DDrain
SSource
G DS
Ordering Information
Device
MTB110P08KJ3-0-T3-G
Package
TO-252
(Pb-free lead plating & halogen-free package)
Shipping
2500 pcs / Tape & Reel
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant
and green compound products
Packing spec, T3 : 2500 pcs / tape & reel, 13” reel
Product rank, zero for no rank products
Product name
MTB110P08KJ3
CYStek Product Specification




MTB110P08KJ3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C123J3
Issued Date : 2016.07.20
Revised Date :
Page No. : 4/9
Typical Characteristics
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
Typical Output Characteristics
10V,9V,8V,7V,6V
5V
4.5V
4V
-VGS=3V
3.5V
2 46 8
-VDS, Drain-Source Voltage(V)
10
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
500
400
In descending order
300
VGS= -4.5V
-10V
200
100
0
0.01
0.1 1 10
-ID, Drain Current(A)
100
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
1000
ID=-5A
800
600
400
200
0
0 2 4 6 8 10
-VGS, Gate-Source Voltage(V)
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6 ID=-250μA,
VGS=0V
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
VGS=0V
1.0
Tj=25°C
0.8
0.6 Tj=150°C
0.4
0.2
0
2 46 8
-IDR, Reverse Drain Current(A)
10
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
2.4
2.2 VGS=-10V, ID=-5A
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4 RDS(ON)@Tj=25°C : 103mΩ typ.
0.2
0.0
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
MTB110P08KJ3
CYStek Product Specification

4페이지










MTB110P08KJ3 전자부품, 판매, 대치품
Reel Dimension
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C123J3
Issued Date : 2016.07.20
Revised Date :
Page No. : 7/9
Carrier Tape Dimension
MTB110P08KJ3
CYStek Product Specification

7페이지


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