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MTB5D0P03J3 데이터시트 PDF




Cystech Electonics에서 제조한 전자 부품 MTB5D0P03J3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MTB5D0P03J3 자료 제공

부품번호 MTB5D0P03J3 기능
기능 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 Cystech Electonics
로고 Cystech Electonics 로고


MTB5D0P03J3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MTB5D0P03J3 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C965J3
Issued Date : 2014.09.15
Revised Date :
Page No. : 1/9
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB5D0P03J3 BVDSS
ID @VGS=-10V
RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-25A
RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A
-30V
-88A
3.7mΩ(typ)
5.1mΩ(typ)
Features
Low Gate Charge
Simple Drive Requirement
Pb-free lead plating & halogen-free package
Equivalent Circuit
MTB5D0P03J3
Outline
TO-252(DPAK)
GGate DDrain
SSource
G DS
Ordering Information
Device
MTB5D0P03J3-0-T3-G
Package
TO-252
(Pb-free lead plating & halogen-free package)
Shipping
2500 pcs / Tape & Reel
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant and
green compound products
Packing spec, T3 : 2500 pcs / tape & reel, 13” reel
Product rank, zero for no rank products
Product name
MTB5D0P03J3
CYStek Product Specification




MTB5D0P03J3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C965J3
Issued Date : 2014.09.15
Revised Date :
Page No. : 4/9
Typical Characteristics
Typical Output Characteristics
200
10V,9V,8V,7V,6V,5V,4.5V,4V
160
-VGS=3.5V
120
-VGS=3V
80
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature
1.4
1.2
1
0.8
40
0
0
-VGS=2.5V
-VGS=2V
1 23 4
-VDS, Drain-Source Voltage(V)
5
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
100
90 In descending order
80
VGS=-2.5V
-3V
70 -4.5V
60 -10V
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1 1 10
-ID, Drain Current(A)
100
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
100
90 ID=-25A
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 2 4 6 8 10
-VGS, Gate-Source Voltage(V)
0.6 ID=-250μA,
VGS=0V
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
Tj, Junction Temperature(°C)
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
VGS=0V
1
0.8
Tj=25°C
0.6 Tj=150°C
0.4
0.2
0
5 10 15 20 25 30 35 40
-IDR, Reverse Drain Current(A)
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
3
2.5 VGS=-10V, ID=-25A
2
1.5
1
0.5 RDS(ON)@Tj=25°C : 3.7mΩ typ
0
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
Tj, Junction Temperature(°C)
MTB5D0P03J3
CYStek Product Specification

4페이지










MTB5D0P03J3 전자부품, 판매, 대치품
Reel Dimension
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C965J3
Issued Date : 2014.09.15
Revised Date :
Page No. : 7/9
Carrier Tape Dimension
MTB5D0P03J3
CYStek Product Specification

7페이지


구       성 총 9 페이지수
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