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부품번호 | PJX138L 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | Pan Jit International | ||
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전체 6 페이지수
PPJX138L
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Voltage
60 V
Current 160mA
Features
RDS(ON) , VGS@10V, ID@160mA<4.2Ω
RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@100mA<5Ω
RDS(ON) , VGS@2.5V, ID@50mA<7Ω
Advanced Trench Process Technology
ESD Protected
Specially Designed for Relay driver, Speed line drive, etc.
Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU
directive.
Green molding compound as per IEC61249 Std.
(Halogen Free)
Mechanical Data
Case: SOT-563 Package
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.00009 ounces, 0.0026 grams
Marking: X8L
SOT-563
Unit : inch(mm)
Maximum
Ratings
and
Thermal
Characteristics
o
(TA=25 C
unless
otherwise
noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
TA=25oC
Derate above 25oC
Operating Junction and Storage Temperature Range
Typical Thermal resistance
- Junction to Ambient (Note 3)
SYMBOL
VDS
VGS
ID
IDM
PD
TJ,TSTG
RθJA
LIMIT
60
+20
160
800
223
1.8
-55~150
560
UNITS
V
V
mA
mA
mW
mW/ oC
oC
oC/W
March 27,2015-REV.01 `
Page 1
PPJX138L
TYPICAL CHARACTERISTIC CURVES
Fig.7 Gate-Charge Characteristics
Fig.8 Breakdown Voltage Variation vs. Temperature
Fig.9 Threshold Voltage Variation with Temperature.
Fig.10 Capacitance vs. Drain-Source Voltage.
March 27,2015-REV.01 `
Page 4
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PJX138K | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Pan Jit International |
PJX138L | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Pan Jit International |
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