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AP03N40AH-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP03N40AH-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP03N40AH-HF 자료 제공

부품번호 AP03N40AH-HF 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP03N40AH-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP03N40AH-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
100% Avalanche Test
Fast Switching Characteristic
Simple Drive Requirement
RoHS Compliant & Halogen-Free
AP03N40AH-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
D BVDSS
RDS(ON)
400V
2.6Ω
G ID 2.7A
S
Description
AP03N40A series are from Advanced Power innovated design and
silicon process technology to achieve the lowest possible on-
resistance and fast switching performance. It provides the designer
with an extreme efficient device for use in a wide range of power
applications.
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-
industrial surface mount applications using infrared reflow
technique and suited for high current application due to the low
connection resistance.
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25
IDM
PD@TC=25
PD@TA=25
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Total Power Dissipation3
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
GD
S
TO-252(H)
Rating
400
+20
2.7
10
44.6
2
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
W
W
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3
Data & specifications subject to change without notice
Value
2.8
62.5
Unit
/W
/W
1
201303151




AP03N40AH-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP03N40AH-HF
12
I D =1A
V DS =320V
10
8
6
4
2
0
0 4 8 12
Q G , Total Gate Charge (nC)
16
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100
10
Operation in this
area limited by
RDS(ON)
10us
100us
1
1ms
T C =25 o C
Single Pulse
0.1
1
10
10ms
100ms
DC
100 1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
f=1.0MHz
600
500
400
C iss
300
200
C100
oss
C rss
0
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
0.1
1
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
10V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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다운로드[ AP03N40AH-HF.PDF 데이터시트 ]

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