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부품번호 | AP03N70H-A-HF 기능 |
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기능 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | ||
제조업체 | Advanced Power Electronics | ||
로고 | |||
Advanced Power
Electronics Corp.
AP03N70H/J-A-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
▼ 100% Avalanche Test
▼ Fast Switching Characteristic
▼ Simple Drive Requirement
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
G
D
S
Description
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial
surface mount applications and suited for AC/DC converters. The
through-hole version (AP03N70J) is available for low-profile
applications.
BVDSS
RDS(ON)
ID
650V
3.6Ω
3.3A
G
D
S
TO-252(H)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25℃
ID@TC=100℃
IDM
PD@TC=25℃
EAS
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Single Pulse Avalanche Energy2
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
G
DS
TO-251(J)
Rating
650
+30
3.3
2.1
13.2
54.3
3.1
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
mJ
℃
℃
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)4
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Data & specifications subject to change without notice
Value
2.3
62.5
110
Units
℃/W
℃/W
℃/W
1
200907021
AP03N70H/J-A-HF
16
I D =3.3A
V DS =480V
12
8
4
0
0 4 8 12
Q G , Total Gate Charge (nC)
16
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100
10
100us
1 1ms
10ms
0.1
T c =25 o C
Single Plude
100ms
DC
0.01
1
10 100 1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
10000
Fig9. Maximum Safe Operating Area
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
f=1.0MHz
10000
C iss
100
C oss
C rss
1
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
DUTY=0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , Pulse Width (s)
1
10
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
10V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
4페이지 | |||
구 성 | 총 4 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
AP03N70H-A-HF | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | Advanced Power Electronics |
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