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AP03N70H-A-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP03N70H-A-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP03N70H-A-HF 자료 제공

부품번호 AP03N70H-A-HF 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP03N70H-A-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP03N70H-A-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP03N70H/J-A-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
100% Avalanche Test
Fast Switching Characteristic
Simple Drive Requirement
RoHS Compliant & Halogen-Free
G
D
S
Description
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial
surface mount applications and suited for AC/DC converters. The
through-hole version (AP03N70J) is available for low-profile
applications.
BVDSS
RDS(ON)
ID
650V
3.6Ω
3.3A
G
D
S
TO-252(H)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
EAS
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Single Pulse Avalanche Energy2
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
G
DS
TO-251(J)
Rating
650
+30
3.3
2.1
13.2
54.3
3.1
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
mJ
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)4
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Data & specifications subject to change without notice
Value
2.3
62.5
110
Units
/W
/W
/W
1
200907021




AP03N70H-A-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP03N70H/J-A-HF
16
I D =3.3A
V DS =480V
12
8
4
0
0 4 8 12
Q G , Total Gate Charge (nC)
16
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100
10
100us
1 1ms
10ms
0.1
T c =25 o C
Single Plude
100ms
DC
0.01
1
10 100 1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
10000
Fig9. Maximum Safe Operating Area
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
f=1.0MHz
10000
C iss
100
C oss
C rss
1
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
DUTY=0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , Pulse Width (s)
1
10
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
10V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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