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AP03N70J-H-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP03N70J-H-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP03N70J-H-HF 자료 제공

부품번호 AP03N70J-H-HF 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP03N70J-H-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP03N70J-H-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP03N70H/J-H-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
100% Avalanche Rated
Fast Switching Speed
Simple Drive Requirement
RoHS Compliant
D
G
S
Description
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-
industrial surface mount applications and suited for AC/DC
converters. The through-hole version (AP03N70J) is available
for low-profile applications.
BVDSS
RDS(ON)
ID
700V
4.4Ω
2.5A
G
D
S
TO-252(H)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
EAS
IAR
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy2
Avalanche Current
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
G
DS
TO-251(J)
Rating
700
+30
2.5
1.6
8
54.3
0.44
31
2.5
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
A
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)4
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Value
2.3
62.5
110
Units
/W
/W
/W
Data & specifications subject to change without notice
1
201305285




AP03N70J-H-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP03N70H/J-H-HF
16
I D =1A
V DS =480V
12
8
4
0
0 5 10
Q G , Total Gate Charge (nC)
15
Fig 7. Gate Charge Characteristics
10
100us
1ms
1
10ms
100ms
0.1
DC
T c =25 o C
Single Pulse
0.01
1
10 100 1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
10000
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
Fig 11. Switching Time Waveform
f=1.0MHz
1000
800
C600
iss
400
200
C oss
0 C rss
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
DUTY=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001
Single Pulse
0.0001
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
0.1
1
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
10V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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