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부품번호 | STN8882D 기능 |
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기능 | N Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | Stanson Technology | ||
로고 | |||
STN8882D
N Channel Enhancement Mode MOSFET
60.0A
DESCRIPTION
STN8882D is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor
which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The STN8882D
has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters
using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been
optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
PIN CONFIGURATION (D-PAK)
TO-252
TO-251
FEATURE
� 30V/ 35A, RDS(ON) = 5mΩ
� @VGS = 10V
� 30V/35A, RDS(ON) = 7mΩ
@VGS = 4.5V
� Super high density cell design for
extremely low RDS(ON)
� Exceptional on-resistance and
maximum DC current capability
� TO-252,TO-251 package design
PART MARKING
Y: Year Code A: Process Code
STANSON TECHNOLOGY
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA
www.stansontech.com
Copyright © 2009, Stanson Corp.
STN8882D 2009. V1
TYPICAL CHARACTERICTICS
STN8882D
N Channel Enhancement Mode MOSFET
60.0A
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STN8882D 2009. V1
4페이지 STN8882D
N Channel Enhancement Mode MOSFET
60.0A
TO-251 PACKAGE OUTLINE SOP-8P
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STN8882D 2009. V1
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
STN8882D | N Channel Enhancement Mode MOSFET | Stanson Technology |
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