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부품번호 | STN2018 기능 |
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기능 | N Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | Stanson Technology | ||
로고 | |||
STN2018
N Channel Enhancement Mode MOSFET
10.0A
DESCRIPTION
STN2018 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors
which are produced using high cell density DMOS trench technology. This high density
process is especially tailored to minimize on-state resistance.
These devices are particularly suited for low voltage application, notbook computer
power management and other battery powered circuits where high-side switching.
PIN CONFIGURATION
SOP-8
FEATURE
20V/10A, RDS(ON) = 10mΩ
@VGS = 4.5V
20V/7A, RDS(ON) = 15mΩ
@VGS = 2.5V
Super high density cell design for
extremely low RDS(ON)
Exceptional on-resistance and maximum
DC current capability
SOP-8 package design
PART MARKING
SOP-8
STANSON TECHNOLOGY
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA
www.stansontech.com
Copyright © 2007, Stanson Corp
.
STN2018 2013. V1
STN2018
N Channel Enhancement Mode MOSFET
10.0A
TYPICAL CHARACTERICTICS (25℃ Unless Note)
STANSON TECHNOLOGY
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STN2018 2013. V1
4페이지 SOP-8 PACKAGE OUTLINE
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N Channel Enhancement Mode MOSFET
10.0A
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구 성 | 총 7 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
STN2018 | N Channel Enhancement Mode MOSFET | Stanson Technology |
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