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부품번호 | STN6562 기능 |
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기능 | Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | Stanson Technology | ||
로고 | |||
STN6562
Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET
4.0A
DESCRIPTION
The STN6562 is the dual N-Channel enhancement mode power field effect transistor
which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density
process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are
particularly suited for low voltage application, such as cellular phone and notebook
computer power management and other battery powered circuits, and low in-line
power loss are needed in a very small outline surface mount package.
PIN CONFIGURATION
TSOP-6
D1 S1 D2
62YW
FEATURE
◆ 30V/4.0A, RDS(ON)=65mohm@VGS=10V
◆ 30V/2.2A, RDS(ON)=75mohm@VGS=4.5V
◆ 30V/1.5A, RDS(ON)=105mohm@VGS=2.5V
◆ Super high density cell design for extremely low
RDS(ON)
◆ Exceptional an-resistance and maximum DC
current capability
◆ TSOP-6 package design
G1 S2 G2
Y: Year
A: Week Code
n-channel
n-channel
STANSON TECHNOLOGY
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA
http://www.stansontech.com
STP6562 2008. V1
TYPICAL CHARACTERICTICS
STN6562
Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET
4.0A
STANSON TECHNOLOGY
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA
http://www.stansontech.com
STP6562 2008. V1
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
STN6562 | Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET | Stanson Technology |
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