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BUV19 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BUV19
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
로고 Inchange Semiconductor 로고 



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BUV19 데이터시트, 핀배열, 회로
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUV19
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 0.6V(Max.) @IC= 30A
·High Switching Speed
APPLICATIONS
·High efficiency converters
·Motor drive control
·Switching regulator
Absolute maximum ratings(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VCBO
Collector-Base Voltage
VCEO Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
ICM Collector Current-Peak
IB Base Current-Continuous
IBM Base Current-Peak
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
VALUE UNIT
160 V
80 V
7V
50 A
70 A
12 A
30 A
250 W
200
-65~200
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 0.7 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1






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