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BUV28F PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BUV28F
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
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BUV28F 데이터시트, 핀배열, 회로
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 200V(Min)- BUV28F
225V(Min)- BUV28AF
·High Switching Speed
APPLICATIONS
·Designed for fast switching applications such as high
frequency and efficiency converters, switching regulators
and motor control.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCES
Collector-Emitter Voltage
VBE= 0
BUV28F
BUV28AF
400
450
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
BUV28F
BUV28AF
200
225
V
VEBO Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
12 A
ICM Collector Current-Peak
20 A
IB Base Current-Continuous
2A
IBM Base Current-Peak
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
4
18
150
-65~150
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case
7.0 /W
Rth j-a Thermal Resistance, Junction to Ambient 55 /W
isc Product Specification
BUV28F/AF
isc websitewww.iscsemi.cn
1






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