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Número de pieza | BUW12AF | |
Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
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isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUW12AF
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= 450V(Min.)
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.5V(Max.)@IC= 5A
·High Speed Switching
APPLICATIONS
·Designed for high voltage, fast switching industrial
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
1000
V
VCEO Collector-Emitter Voltage
450 V
VEBO Emitter-Base Voltage
9V
IC Collector Current-Continuous
8A
ICM Collector Current-Peak
20 A
IB Base Current
4A
IBM Base Current-Peak
Collector Power Dissipation
PC @TC=25℃
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
6
34
150
-65~150
A
W
℃
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 3.7 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
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PDF Descargar | [ Datasheet BUW12AF.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
BUW12A | POWER TRANSISTORS(8A/400-450V/125W) | Mospec Semiconductor |
BUW12A | SILICON POWER TRANSISTOR | SavantIC |
BUW12A | (BUWxx) Power Transistor | ETC |
BUW12AF | Silicon diffused power transistors | NXP Semiconductors |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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