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TLP292-4 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 TLP292-4은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 TLP292-4 자료 제공

부품번호 TLP292-4 기능
기능 PHOTOCOUPLER InGaAs IRED & PHOTO-TRANSISTOR
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


TLP292-4 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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TLP292-4 데이터시트, 핀배열, 회로
TLP292-4
TOSHIBA PHOTOCOUPLER InGaAs IRED & PHOTO-TRANSISTOR
TLP292-4
Programmable Controllers
Switching Power Supplies
Simplex/Multiplex Data Transmissions
Unit: mm
TLP292-4 consists of phototransistors optically coupled to two InGaAs infrared
emitting diodes connected inverse parallel, and can operate directly by AC
input current.
TLP292-4 is housed in the very small and thin SO16 package.
Since TLP292-4 is guaranteed wide operating temperature (Ta=-55 to 125 ˚C)
and high isolation voltage (3750 Vrms), it is suitable for high-density surface
mount applications such as programmable controllers.
Collector-Emitter Voltage : 80 V (min)
Current Transfer Ratio : 50% (min)
Rank GB: 100 %(min)
Isolation Voltage
: 3750 Vrms (min)
Operation temperature range: -55 to 125 ˚C
Safety standards
UL- approved: UL1577, File No. E67349
cUL- approved: CSA Component Acceptance Service No.5A,
File No. E67349
CQC- approved : GB4943.1, GB8898
TOSHIBA
11-11F1
Weight: 0.19 g (typ.)
Pin Configuration
TLP292-4
1 16
仅适用干海拔 2000 m 以下地区安全使用
VDE-under application : EN60747-5-5 (Note)
Note : When an EN60747-5-5 approved type is needed,
please designate the Option (V4).
Construction Mechanical Rating
Creepage Distance
Clearance
Internal isolation thickness
5.0 mm (min)
5.0 mm (min)
0.4 mm (min)
2 15
3 14
4 13
5 12
6 11
7 10
89
1,3,5,7 : Cathode, Anode
2,4,6,8 : Anode, Cathode
9,11,13,15 : Emitter
10,12,14,16 : Collector
Start of commercial production
2014-04
1 2015-10-21




TLP292-4 pdf, 반도체, 판매, 대치품
TLP292-4
Coupled Electrical Characteristics (Unless otherwise specified, Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN TYP. MAX UNIT
Current transfer ratio
IF = ±5 mA, VCE = 5 V
50 — 600
IC / IF
%
Rank GB 100 — 600
Saturated current transfer ratio
IF = ±1 mA, VCE = 0.4 V
— 60 —
IC / IF (sat)
%
Rank GB 30 — —
IC = 2.4 mA, IF = ±8 mA
— — 0.3
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat) IC = 0.2 mA, IF = ±1 mA
— 0.2 —
V
Rank GB —
— 0.3
Off-state collector current
IC (off)
VF = ±0.7 V, VCE = 48 V
— — 10 μA
Collector current ratio
IC (ratio)
IC (IF = 5 mA) / IC (IF = 5 mA)
(Figure 1) 0.33
3
Figure 1: Collector current ratio test circuit
IC(ratio)
=
IC2(IF
IC1(IF
=
=
IF2,VCE = 5V)
IF1,VCE = 5V)
Isolation Characteristics (Unless otherwise specified, Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC
Total capacitance (input to output)
Isolation resistance
Isolation voltage
SYMBOL
TEST CONDITION
CS VS = 0 V, f = 1 MHz
RS VS = 500 V, R.H.60%
AC , 60 s
BVS AC , 1 s, in OIL
DC , 60 s, in OIL
MIN TYP. MAX UNIT
— 0.8
1×1012 1014
3750 —
— 10000
— 10000
pF
Ω
Vrms
Vdc
Switching Characteristics (Unless otherwise specified, Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC
Rise time
Fall time
Turn-on time
Turn-off time
Turn-on time
Storage time
Turn-off time
Figure 2: Switchin Time Test Circuit
SYMBOL
tr
tf
ton
toff
ton
ts
toff
TEST CONDITION
MIN
VCC = 10 V, IC = 2 mA
RL = 100 Ω
RL = 1.9 kΩ
(Figure 2)
VCC = 5 V, IF = 16 mA
TYP.
2
3
3
3
1.5
20
35
MAX UNIT
μs
μs
IF
RL VCC
IF
tS
VCC
VCE
VCE
4.5 V
0.5 V
ton toff
4 2015-10-21

4페이지










TLP292-4 전자부품, 판매, 대치품
I C - Ta
25 mA
10 mA
5 mA
3 mA
1 mA
IF=0.5 mA
VCE=5V
Ambient temperature Ta (°C)
Switching time - RL
Ta=25˚C
IF=16 mA
VCC=5 V
toff
ts
ton
TLP292-4
Switching time - RL
Ta=25˚C
IF=1.6 mA
VCC=5 V
toff
ts
ton
Load resistance RL (kΩ)
S wi t c h i ng t i m e - Ta
IF=16 mA
VCC=5 V
RL=1.9 k
toff
ts
ton
Load resistance RL (kΩ)
Ambient temperature Ta (°C)
Note: The above characteristics curves are presented for reference only and not guaranteed by production test,
unless otherwise noted.
7 2015-10-21

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