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BTA24-1200 데이터시트 PDF




Sirectifier에서 제조한 전자 부품 BTA24-1200은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BTA24-1200 자료 제공

부품번호 BTA24-1200 기능
기능 Discrete Triacs
제조업체 Sirectifier
로고 Sirectifier 로고


BTA24-1200 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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BTA24-1200 데이터시트, 핀배열, 회로
BTA24
Discrete Triacs(Isolated)
T2 Dimensions TO-220AB
G
T1
BTA24-200
BTA24-400
BTA24-600
BTA24-800
BTA24-1000
BTA24-1200
VDRM/RRM VDSM/RSM
VV
200 300
400 500
600 700
800 900
1000
1200
1100
1300
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
IT(RMS) RMS on-state current (full sine wave)
ITSM
Non repetitive surge peak on-state
current (full cycle, Tj initial = 25°C)
I²t I²t Value for fusing
dI/dt
Critical rate of rise of on-state current
IG = 2 x I GT , tr <_ 100 ns
VDSM/V RSM
Non repetitive surge peak off-state
voltage
TO-220AB
Tc = 100°C
F = 60 Hz
F = 50 Hz
t = 16.7 ms
t = 20 ms
tp = 10 ms
F = 120 Hz
Tj = 125°C
tp = 10 ms
Tj = 25°C
IGM
PG(AV)
Tstg
Tj
Peak gate current
Average gate p ower diss ipation
Storage junction temperature range
Operating junction temperature range
tp = 20 µs
Tj = 125°C
Tj = 125°C
Value
24
250
260
340
50
VDRM/VRRM
+ 100
4
1
- 40 to + 150
- 40 to + 125
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C, unless otherwise specified)
s SNUBBERLESS and LOGIC LEVEL(3 Quadrants)
Symbol
Test Conditions
Quadrant
BTA
IGT (1)
VGT
VD = 12 V
RL = 33
I - II - III
I - II - III
VGD VD = VDRM RL = 3.3 kTj = 125°C I - II - III
IH (2)
IL
IT = 500 mA
IG = 1.2 IGT
I - III
II
dV/dt (2) VD = 67 % VDRM gate open Tj = 125°C
(dI/dt)c (2) Without snubber
Tj = 125°C
MAX.
MAX.
MIN.
MAX.
MAX.
MIN.
MIN.
CW
35
1.3
0.2
50
70
80
500
13
BW
50
75
80
100
1000
22
Unit
A
A
A²s
A/µs
V
A
W
°C
Unit
mA
V
V
mA
mA
V/µs
A/ms
Page1 © 2012 Sirectifier Electronics Technology Corporation All Rights Reserved




BTA24-1200 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BTA24
Discrete Triacs(Isolated)
F ig. 6: Non-repetitive s urge peak on-s tate
current for a s inus oida l puls e with width
tp < 10ms, a nd corres ponding value of I²t.
F ig. 7 : R elative va riation of gate trigger current,
holding current and la tching current versus
junction temperature (typical va lues ).
ITS M (A), I²t (A ²s )
3000
1000
dI/dt limitation:
50A /µs
T j initial=25°C
ITS M
1 000. 0 1
tp (ms )
I²t
0.10 1.00 10.00
IG T,IH,IL [T j] / IG T ,IH,IL [T j=25°C ]
2.5
2.0
IG T
1.5
IH & IL
1.0
0.5
Tj(°C )
0.0
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
F ig. 8 : R elative varia tion of critical rate of
decreas e of main current vers us (dV /dt)c (typica l
values ).
F ig. 9 : R elative variation of critical rate of
decreas e of main current vers us junction
te mpe ra ture .
(dI/dt)c [(dV /dt)c ] / S pec ified (dI/dt)c
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4 B
B W/C W
1.2
1.0
0.8
0.6 (dV /dt)c (V /µs )
0 . 40 . 1
1.0 10.0
100.0
(dI/dt)c [T j] / (dI/dt)c [T j s pec ified]
6
5
4
3
2
1
Tj (°C )
0 0 25 50 75
100
125
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