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EFC3C001NUZ 데이터시트 PDF




ON Semiconductor에서 제조한 전자 부품 EFC3C001NUZ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EFC3C001NUZ 자료 제공

부품번호 EFC3C001NUZ 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 ON Semiconductor
로고 ON Semiconductor 로고


EFC3C001NUZ 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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EFC3C001NUZ 데이터시트, 핀배열, 회로
EFC3C001NUZ
Power MOSFET
for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection
20V, 30m, 6A, Dual N-Channel
This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is
suitable for applications such as power switches of portable machines. Best
suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications.
www.onsemi.com
Features
2.5V drive
Common-Drain type
ESD Diode-Protected Gate
Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance
VSSS
20V
RSS(on) Max
30m@ 4.5V
34m@ 3.8V
39m@ 3.1V
56m@ 2.5V
IS Max
6A
Applications
1-2 Cells Lithium-ion Battery Charging and Discharging Switch
SPECIFICATIONS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta = 25C (Note 1)
Parameter
Symbol
Value
Unit
Source to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Source Current (DC)
Source Current (Pulse)
PW100s, duty cycle1%
Total Dissipation (Note 2)
Junction Temperature
Storage Temperature
VSSS
VGSS
IS
ISP
PT
Tj
Tstg
20
10
6
60
1.6
150
55 to +150
V
V
A
A
W
C
C
Note 1 : Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage
the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not
be assumed, damage may occur and reliability may be affected.
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Value
Junction to Ambient (Note 2)
RJA
78.1
Note 2 : Surface mounted on ceramic substrate(5000mm2 0.8mm).
Unit
C/W
ELECTRICAL CONNECTION
N-Channel
4
Rg
3
Rg
2
Rg=500
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Gate2
1 4 : Source2
MARKING
WLCSP4, 1.26×1.26 /
EFCP1313-4DG-020
wc
LOT No.
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping
information on page 6 of this data sheet.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016
June 2016 - Rev. 0
1
Publication Order Number :
EFC3C001NUZ/D




EFC3C001NUZ pdf, 반도체, 판매, 대치품
EFC3C001NUZ
6.0 IS -- VSS
5.5 Ta=25C
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0 1.3V
2.5
2.0
1.5
1.0 VGS=1.0V
0.5
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
Source toRSSoSu(rocen)Vo--ltaVgeG, SVSS -- V
80
Ta=25C
70 IS=2A
60
50
40
30
10
VSS=10V
9
8
IS -- VGS
7
6
5
4
3
2
1
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0
Gate to SRouSrSce(oVno)lta-g-e,TVaGS -- V
80
2.5
70
60
50
VVGGSS==23..51VV,,IISS==22AA
40
30
VGS=4.5V, IS=2A
20
10
0
02468
Gate
to
Source
IS --
VVoFlt(aSge-S, V) GS
--
V
10
7 VGS=0V
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Forward
Source
to
Source Voltage,
VGS -- Qg
VF(S-S)
--
V
4.5
VSS=10V
4.0 IS=6A
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0 2 4 6 8 10 12 14
Total Gate Charge, Qg -- nC
10
1.2
16
20
10
V GS=3.8V, I S=2A
0
--60 --40 --20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
100000
7
5
Ambient Temperature, Ta -- C
SW Time -- IS
td(off)
3
2
tf
10000
7
5
3
2
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
0.01
tr
td(on)
2 3 5 7 0.1
2 3 5 7 1.0
VSS=10V
VGS=4.5V
2 3 5 7 10
Source
Current,
SOA
IS
--
A
100
7
5
3
ISP=60A
(PW100s)
2
100s
10
7
IS=6A
1ms
5
3
2
1.0
7
5
3
2
Operation
in
this
area
DC
1001m0ms s
operation
0.1 is limited by RSS(on).
7
5
Ta=25C
3 Single pulse
2 Surface mounted on ceramic substrate
0.01 (5000mm20.8mm)
0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10
23
Source to Source Voltage, VSS -- V
5 7 100
www.onsemi.com
4

4페이지












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