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AP9412GI-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP9412GI-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 AP9412GI-HF 자료 제공

부품번호 AP9412GI-HF 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP9412GI-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP9412GI-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP9412GI-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Fast Switching Performance
Simple Drive Requirement
Full Isolation Package
RoHS Compliant & Halogen-Free
G
Description
AP9412 series are from Advanced Power innovated design and
silicon process technology to achieve the lowest possible on-
resistance and fast switching performance. It provides the
designer with an extreme efficient device for use in a wide
range of power applications.
The TO-220CFM package is widely preferred for all
commercial-industrial through hole applications. The mold
compound provides a high isolation voltage capability and low
thermal resistance between the tab and the external heat-sink.
D
S
BVDSS
RDS(ON)
ID
30V
6mΩ
68A
GD S
TO-220CFM(I)
Absolute Maximum Ratings@Tj=25.oC(unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Rating
Units
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current3, VGS @ 10V
Drain Current3, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
30
+20
68
43
250
34.7
-55 to 150
-55 to 150
V
V
A
A
A
W
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Data and specifications subject to change without notice
Value
3.6
65
Units
/W
/W
1
201408262




AP9412GI-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP9412GI-HF
12
I D = 40 A
10
V DS =15V
8 V DS =20V
V DS =24V
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
f=1.0MHz
10000
C iss
1000
C oss
C rss
100
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1000
Operation in this area
100 limited by RDS(ON)
100us
1ms
10
T C =25 o C
Single Pulse
1
0.1
1
10ms
100ms
1s
DC
10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1
. 0.1
0.05
0.02
PDM
t
T
0.01
0.00001
0.01 Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.31Single Pulse
trr
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , Pulse Width (s)
Q1 10
rr
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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