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AP9435GH-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP9435GH-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP9435GH-HF 자료 제공

부품번호 AP9435GH-HF 기능
기능 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP9435GH-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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AP9435GH-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP9435GH/J-HF
Halogen-Free Product
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Low Gate Charge
Simple Drive Requirement
D
Fast Switching Characteristic
RoHS Compliant & Halogen-Free
G
S
Description
AP9435 series are from Advanced Power innovated design and silicon
process technology to achieve the lowest possible on-resistance and
fast switching performance. It provides the designer with an extreme
efficient device for use in a wide range of power applications.
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial
surface mount applications using infrared reflow technique and suited
for high current application due to the low connection resistance. The
through-hole version (AP9435GJ) are available for low-profile
applications.
BVDSS
RDS(ON)
ID
-30V
50mΩ
- 20A
G
D
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
Absolute
Symbol
Maximum
RatingPsa@ramTej=te2r 5oC. (unless
otherwise specified)
Rating
Units
VDS Drain-Source Voltage
- 30 V
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
Gate-Source Voltage
Drain Current, VGS @ 10V
Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
+20 V
- 20 A
-13 A
-60 A
12.5 W
0.1 W/
TSTG
TJ
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
-55 to 150
-55 to 150
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Data and specifications subject to change without notice
Value
10
62.5
110
Units
/W
/W
/W
1
201409176AP




AP9435GH-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP9435GH/J-HF
12
I D =-10A
V DS =-24V
10
8
6
4
2
0
0 4 8 12 16 20
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
f=1.0MHz
1000
Ciss
100
Coss
Crss
10
1 5 9 13 17 21 25 29
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
100 1
10us
Duty factor=0.5
10
100us
1
T C =25 o C
Single Pulse
1ms
10ms
100ms
DC
0.1
0.1 1 10
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
0.2
0.1
. 0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , Pulse Width (s)
1
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off)tf
VG
-4.5V
QG
QGS QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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다운로드[ AP9435GH-HF.PDF 데이터시트 ]

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