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BD799 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BD799
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
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BD799 데이터시트, 핀배열, 회로
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BD799
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 80V(Min)
·Low Saturation Voltage
·Complement to Type BD800
APPLICATIONS
·Designed for a wide variety of medium-power switching and
amplifier applications , such as series and shunt regulators
and driver and output stages of high-fidelity amplifiers.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
80 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
80 V
VEBO Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
8A
IB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
TC=25
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Ttemperature Range
3A
65 W
150
-55~150
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
1.92 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1






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