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부품번호 | 2N5684 기능 |
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기능 | NPN POWER SILICON TRANSISTOR | ||
제조업체 | Microsemi | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
NPN POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/466
Devices
2N5683
2N5684
TECHNICAL DATA
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Symbol 2N5683 2N5684
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Base Current
Collector Current
Total Power Dissipation (1)
@ TC = 250C
@ TC = 1000C
VCEO
VCBO
VEBO
IB
IC
PT
60 80
60 80
5.0
15
50
300
171
Operating & Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg
THERMAL CHARACTERISTICS
-65 to +200
Characteristics
Symbol
Max.
Thermal Resistance, Junction-to-Case
RθJC
0.584
1) Derate linearly 1.715 W/0C between TC = +250C and TC = +2000C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 250C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 200 mAdc
2N5683
2N5684
V(BR)CEO
Collector-Emitter Cutoff Current
VCE = 30 Vdc
VCE = 40 Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
2N5683
2N5684
ICEO
VCE = 60 Vdc, VBE = 1.5 Vdc
VCE = 80 Vdc, VBE = 1.5 Vdc
Collector-Base Cutoff Current
2N5683
2N5684
ICEX
VCB = 60 Vdc
VCB = 80 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
VEB = 5.0 Vdc
2N5683
2N5684
ICBO
IEBO
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
W
0C
Unit
0C/W
TO-3*
(TO-204AA)
*See appendix A for
package outline
Min. Max.
Unit
60 Vdc
80
5.0 µAdc
5.0
5.0 µAdc
5.0
5.0 µAdc
5.0
5.0 µAdc
120101
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N5680 | PNP SILICON TRANSISTORS | Seme LAB |
2N5680 | PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS | Boca Semiconductor Corporation |
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