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부품번호 | CJ3401 기능 |
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기능 | MOSFETS | ||
제조업체 | JCST | ||
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전체 3 페이지수
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJ3401 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SOT-23
FEATURE
z High dense cell design for extremely low RDS(ON).
z Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
MARKING: R1
D
1. GATE
2. SOURCE
3. DRAIN
Maximum ratings ( Ta=25℃ unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Power Dissipation
Thermal Resistance from Junction to Ambient (t<5s)
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VDS
VGS
ID
PD
RθJA
TJ
TSTG
G
S
Value
-30
±12
-4.2
350
357
150
-55~+150
Unit
V
V
A
mW
℃/W
℃
℃
A,Dec,2010
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ CJ3401.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
CJ3400 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ZPSEMI |
CJ3400 | MOSFETS | JCST |
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