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부품번호 | BD234 기능 |
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기능 | PNP Transistor | ||
제조업체 | JCST | ||
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전체 1 페이지수
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors
BD234/236/238 TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
Power Dissipation
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Value Unit
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Collector-Base Voltage BD234
BD236
BD238
Collector-Emitter Voltage BD234
BD236
BD238
Emitter-Base Voltage
BD234
BD236
BD238
Collector Current –Continuous
-45
-60
-100
-45
-60
-80
-5
-2
V
V
V
A
PC Collector Power Dissipation
1.25 W
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
150
-55-150
℃
℃
TO-126
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
BD234
BD236
BD238
BD234
BD236
BD238
BD234
BD236
BD238
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
Test conditions
IC=-1mA,IE=0
IC=-100mA,IB=0
IE=-1mA,IC=0
VCB=-45V, IE=0
VCB=-60V, IE=0
VCB=-100V, IE=0
VEB=-5V, IC=0
hFE(1) VCE=-2V, IC=-150mA
hFE(2) VCE=-2V, IC=-1A
VCE(sat)
fT
IC=-1A, IB=-100m A
VCE=-10V, IC=-250mA,
f =10MHz
Min
-45
-60
-100
-45
-60
-80
-5
Max
-100
-1
40
25
-0.6
3
Unit
V
V
V
µA
mA
V
MHz
A,Jun,2011
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BD230 | NPN power transistor | NXP Semiconductors |
BD230 | SILICON POWER TRANSISTOR | SavantIC |
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