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BD234 데이터시트 PDF




JCST에서 제조한 전자 부품 BD234은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BD234 자료 제공

부품번호 BD234 기능
기능 PNP Transistor
제조업체 JCST
로고 JCST 로고


BD234 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BD234 데이터시트, 핀배열, 회로
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors
BD234/236/238 TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
Power Dissipation
MAXIMUM RATINGS (Ta=25unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Value Unit
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Collector-Base Voltage BD234
BD236
BD238
Collector-Emitter Voltage BD234
BD236
BD238
Emitter-Base Voltage
BD234
BD236
BD238
Collector Current –Continuous
-45
-60
-100
-45
-60
-80
-5
-2
V
V
V
A
PC Collector Power Dissipation
1.25 W
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
150
-55-150
TO-126
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
BD234
BD236
BD238
BD234
BD236
BD238
BD234
BD236
BD238
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
Test conditions
IC=-1mA,IE=0
IC=-100mA,IB=0
IE=-1mA,IC=0
VCB=-45V, IE=0
VCB=-60V, IE=0
VCB=-100V, IE=0
VEB=-5V, IC=0
hFE(1) VCE=-2V, IC=-150mA
hFE(2) VCE=-2V, IC=-1A
VCE(sat)
fT
IC=-1A, IB=-100m A
VCE=-10V, IC=-250mA,
f =10MHz
Min
-45
-60
-100
-45
-60
-80
-5
Max
-100
-1
40
25
-0.6
3
Unit
V
V
V
µA
mA
V
MHz
A,Jun,2011





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