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부품번호 | BUV22 기능 |
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기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUV22
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.0V (Max.) @IC= 10A
·High Switching Speed
·High DC Current Gain-
: hFE= 20(Min.) @IC= 10A
APPLICATIONS
·Designed for high current, high speed, high power
applications.
Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VCBO
VCER
VCEX
VCEO
VEBO
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
RBE= 100Ω
Collector-Emitter Voltage
VBE= -1.5V
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
ICM Collector Current-Peak
IB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25℃
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
VALUE UNIT
300 V
290 V
300 V
250 V
7V
40 A
50 A
8A
250 W
200 ℃
-65~200 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 0.7 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ BUV22.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUV20 | 50 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 125 VOLTS 250 WATTS | Motorola Inc |
BUV20 | NPN Silicon Power Transistor | ON Semiconductor |
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