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부품번호 | 2N6546 기능 |
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기능 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR | ||
제조업체 | Central Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
2N6546
2N6547
NPN SILICON
POWER TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6546, 2N6547
types are NPN Silicon Power Transistors designed for
high voltage, high current, applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-3 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Collector-Emitter Voltage
VCEV
Collector-Emitter Voltage
VCEX
Collector-Emitter Voltage
VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Continuous Collector Current
IC
Peak Collector Current
ICM
Continuous Emitter Current
IE
Peak Emitter Current
IEM
Continuous Base Current
IB
Peak Base Current
IBM
Power Dissipation
PD
Power Dissipation, TC=100°C
PD
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
Thermal Resistance
JC
2N6546
2N6547
650 850
350 450
300 400
9.0
15
30
25
50
10
20
175
100
-65 to +200
1.0
UNITS
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted)
2N6546
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN MAX
ICEV
VCE=Rated VCEV, VBE=1.5V
- 1.0
ICEV
VCE=Rated VCEV, VBE=1.5V, TC=100°C
- 4.0
ICER
VCE=Rated VCEV, RBE=50Ω, TC=100°C
- 5.0
IEBO
VEB=9.0V
- 1.0
BVCEX
VCL=Rated VCEX, IC=8.0A, TC=100°C
350 -
BVCEX
VCL=Rated VCEO-100V, IC=15A, TC=100°C
200 -
BVCEO IC=100mA
300 -
VCE(SAT) IC=10A, IB=2.0A
- 1.5
VCE(SAT) IC=10A, IB=2.0A, TC=100°C
- 2.5
VCE(SAT) IC=15A, IB=3.0A
- 5.0
VBE(SAT) IC=10A, IB=2.0A
- 1.6
VBE(SAT) IC=10A, IB=2.0A, TC=100°C
- 1.6
hFE VCE=2.0V, IC=5.0A
12 60
hFE VCE=2.0V, IC=10A
6.0 30
2N6547
MIN MAX
- 1.0
- 4.0
- 5.0
- 1.0
450 -
300 -
400 -
- 1.5
- 2.5
- 5.0
- 1.6
- 1.6
12 60
6.0 30
UNITS
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
R2 (12-December 2011)
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ 2N6546.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N654 | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 | New Jersey Semiconductor |
2N6542 | POWER TRANSISTORS(5A/100W) | Mospec Semiconductor |
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