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BD243A PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BD243A
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
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BD243A 데이터시트, 핀배열, 회로
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
·DC Current Gain -hFE =30(Min)@ IC= 0.3A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 45V(Min)- BD243; 60V(Min)- BD243A
80V(Min)- BD243B; 100V(Min)- BD243C
·Complement to Type BD244/A/B/C
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose power amplifier and
switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
BD243
45
VCBO
Collector-Base Voltage
BD243A
BD243B
60
80
V
BD243C
100
BD243
45
VCEO
BD243A
Collector-Emitter Voltage
BD243B
60
80
V
BD243C
100
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
6.0 A
ICM Collector Current-Peak
10 A
IB Base Current
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
2.0
65
150
-65~150
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case
MAX UNIT
1.92 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1
isc Product Specification
BD243/A/B/C






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