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BU406 데이터시트 PDF




Comset Semiconductor에서 제조한 전자 부품 BU406은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BU406 자료 제공

부품번호 BU406 기능
기능 NPN SILCON EPITAXIAL-BASE POWER TRANSISTORS
제조업체 Comset Semiconductor
로고 Comset Semiconductor 로고


BU406 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BU406 데이터시트, 핀배열, 회로
BU406 – BU407
NPN SILCON EPITAXIAL-BASE POWER TRANSISTORS
They are NPN transistors mounted in Jedec TO-220 plastic package.
They are intended for use in horizontal deflection output stages of large screens MTV receivers
with 110o CRT and horizontal deflection for monochrome TV.
They are very high switching speed.
Compliance to RoHS.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Ratings
VCEO
VCBO
VCEX
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ
TStg
Collector-Emitter Voltage (IB=0)
Collector-Base Voltage (IE=0)
Collector-Emitter Voltage (VBE= -2V)
Emitter-Base Voltage (IC=0)
Collector Current
Peak Collector Current (10 ms)
Base Current
Total Device Dissipation (TC = 25°C)
Junction Temperature
Storage Temperature range
THERMAL CHARACTERISTICS
Value
BU406
BU407
BU406
BU407
BU406
BU407
200
150
400
330
400
330
6
7
15
4
60
150
-65 to +150
Unit
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
Symbol
Ratings
RthJ-a
RthJ-mb
Thermal Resistance, Junction to mounting base
Thermal Resistance, Junction to ambient in free air
Value
70
2.08
Unit
°C/W
°C/W
COMSET SEMICONDUCTORS
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