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부품번호 | BAS516 기능 |
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기능 | High-speed diode | ||
제조업체 | Philips | ||
로고 | |||
전체 12 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D319
BAS516
High-speed diode
Product specification
1998 Aug 31
Philips Semiconductors
High-speed diode
GRAPHICAL DATA
500
handbook, halfpage
IF
(mA)
400
300
200
100
0
0 50
MGM762
100 150
200
Ts (oC)
Fig.2 Maximum permissible continuous
forward current as a function of
soldering point temperature.
102
handbook, full pagewidth
IFSM
(A)
10
Product specification
BAS516
300
handbook, halfpage
IF
(mA)
200
MBG382
(1) (2) (3)
100
0
0
1 VF (V)
2
(1) Tj = 150 °C; typical values.
(2) Tj = 25 °C; typical values.
(3) Tj = 25 °C; maximum values.
Fig.3 Forward current as a function of
forward voltage.
MBG704
1
10−1
1
10
102
103
tp (µs)
104
Based on square wave currents; Tj = 25 °C prior to surge.
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
1998 Aug 31
4
4페이지 Philips Semiconductors
High-speed diode
PACKAGE OUTLINE
Plastic surface mounted package; 2 leads
Product specification
BAS516
SOD523
A
c
HE
vM A
E bp
1
D
(1)
OUTLINE
VERSION
SOD523
IEC
A
2
REFERENCES
JEDEC
EIAJ
SC-79
0 0.5 1 mm
scale
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
UNIT A
bp
c
D
E HE
v
mm
0.7 0.35 0.2
0.5 0.25 0.1
1.3
1.1
0.9
0.7
1.7
1.5
0.15
Note
1. The marking bar indicates the cathode.
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
98-11-25
1998 Aug 31
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 12 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAS516 | High-speed switching diodes | NXP Semiconductors |
BAS516 | High-speed diode | Leshan Radio Company |
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