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C3M0065100K 데이터시트 PDF




Cree에서 제조한 전자 부품 C3M0065100K은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 C3M0065100K 자료 제공

부품번호 C3M0065100K 기능
기능 Silicon Carbide Power MOSFET
제조업체 Cree
로고 Cree 로고


C3M0065100K 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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C3M0065100K 데이터시트, 핀배열, 회로
VDS 1000 V
C3M0065100K
ID @ 25˚C
35 A
Silicon Carbide Power MOSFET
TM
C3M MOSFET Technology
RDS(on) 65 m
N-Channel Enhancement Mode
Features
Package
New C3MTM SiC MOSFET technology
Optimized package with separate driver source pin
8mm of creepage distance between drain and source
High blocking voltage with low on-resistance
High-speed switching with low capacitances
Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
Halogen free, RoHS compliant
Benefits
Reduce switching losses and minimize gate ringing
Higher system efficiency
Reduce cooling requirements
Increase power density
Increase system switching frequency
Applications
Renewable energy
EV battery chargers
High voltage DC/DC converters
Switch Mode Power Supplies
TAB
Drain
1 234
D SSG
Drain
(Pin 1, TAB)
Gate
(Pin 4)
Driver
Source
(Pin 3)
Power
Source
(Pin 2)
Part Number
C3M0065100K
Package
TO 247-4
Marking
C3M0065100K
Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
VDSmax
VGSmax
VGSop
Drain - Source Voltage
Gate - Source Voltage (dynamic)
Gate - Source Voltage (static)
ID Continuous Drain Current
1000
-8/+19
-4/+15
35
22.5
ID(pulse) Pulsed Drain Current
90
EAS Avalanche energy, Single pulse
PD Power Dissipation
TJ , Tstg Operating Junction and Storage Temperature
TL Solder Temperature
Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V
Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V
110
113.5
-55 to
+150
260
Unit Test Conditions
V VGS = 0 V, ID = 100 μA
V AC (f >1 Hz)
V Static
VGS = 15 V, TC = 25˚C
A
VGS = 15 V, TC = 100˚C
A Pulse width tP limited by Tjmax
mJ ID = 22A, VDD = 50V
W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C
˚C
˚C 1.6mm (0.063”) from case for 10s
Note
Note: 1
Note: 2
Fig. 19
Fig. 22
Fig. 20
1 C3M0065100K Rev. -, 09-2016




C3M0065100K pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance
50
Conditions:
VDS = 20 V
tp < 200 µs
40
30
20
10
TJ = 150 °C
TJ = 25 °C
TJ = -55 °C
0
0
-9 -8
2468
Gate-Source Voltage, VGS (V)
Figure 7. Transfer Characteristic for
Various Junction Temperatures
-7 -6 -5 -4 -3 -2 -1
10
0
0
VGS = -4 V
-10
VGS = 0 V
VGS = -2 V
-20
-30
-40
-50
Drain-Source Voltage VDS (V)
Conditions:
TJ = 25°C
tp < 200 µs
-60
-70
-80
Figure 9. Body Diode Characteristic at 25 ºC
3.0
Conditons
VGS = VDS
2.5 IDS = 5 mA
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
Junction Temperature TJ (°C)
Figure 11. Threshold Voltage vs. Temperature
-9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0
0
VGS = -4 V
-10
VGS = 0 V
VGS = -2 V
-20
-30
-40
-50
Drain-Source Voltage VDS (V)
Conditions:
TJ = -55°C
tp < 200 µs
-60
-70
-80
Figure 8. Body Diode Characteristic at -55 ºC
-10 -9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2 -1
0
0
VGS = -4 V
VGS = 0 V
-10
-20
-30
VGS = -2 V
-40
-50
Drain-Source Voltage VDS (V)
Conditions:
TJ = 150°C
tp < 200 µs
-60
-70
-80
Figure 10. Body Diode Characteristic at 150 ºC
16
Conditions:
IDS = 20 A
IGS = 100 mA
12 VDS = 700 V
TJ = 25 °C
8
4
0
-4
0
5 10 15 20 25 30 35 40
Gate Charge, QG (nC)
Figure 12. Gate Charge Characteristics
4 C3M0065100K Rev. -, 09-2016

4페이지










C3M0065100K 전자부품, 판매, 대치품
Typical Performance
600
Conditions:
TJ = 25 °C
500
VDD = 700 V
IDS = 20 A
VGS = -4V/+15 V
FWD = C3M0065100K
400 L = 130 μH
300
ETotal
EOn
200
EOff
100
0
0 5 10 15 20
External Gate Resistor RG(ext) (Ohms)
25
Figure 25. Clamped Inductive Switching Energy vs. RG(ext)
40
Conditions:
TJ = 25 °C
VDD = 700 V
IDS = 20 A
30
VGS = -4V/+15 V
FWD = C3M0065100K
L = 130 μH
20
td(off)
td(on)
tr
tf
10
400
Conditions:
350
IDS = 20 A
VDD = 700 V
RG(ext) = 2.5
300
VGS = -4V/+15 V
FWD = C3M0065100K
L = 130 μH
250
200
ETotal
150 EOn
100
50 EOff
0
0 25 50 75 100 125
Junction Temperature, TJ (°C)
150
Figure 26. Clamped Inductive Switching Energy vs.
Temperature
175
0
0
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5 10 15 20
External Gate Resistor RG(ext) (Ohms)
25
Figure 27. Switching Times vs. RG(ext)
Conditons:
VDD = 50 V
20 40 60 80
Time in Avalanche TAV (us)
100
Figure 29. Single Avalanche SOA curve
Figure 28. Switching Times Definition
7 C3M0065100K Rev. -, 09-2016

7페이지


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