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C3M0120090J 데이터시트 PDF




Cree에서 제조한 전자 부품 C3M0120090J은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 C3M0120090J 자료 제공

부품번호 C3M0120090J 기능
기능 Silicon Carbide Power MOSFET
제조업체 Cree
로고 Cree 로고


C3M0120090J 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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C3M0120090J 데이터시트, 핀배열, 회로
VDS 900 V
C3M0120090J
ID @ 25˚C
22 A
Silicon Carbide Power MOSFET
TM
C3M MOSFET Technology
RDS(on) 120 m
N-Channel Enhancement Mode
Features
Package
New C3M SiC MOSFET technology
High blocking voltage with low On-resistance
High speed switching with low capacitances
New low impedance package with driver source
Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
Halogen free, RoHS compliant
TAB
Drain
Benefits
Higher system efficiency
Reduced cooling requirements
Increased power density
Increased system switching frequency
1 2 34 5 6 7
G KS S S S S S
Drain
(TAB)
Applications
Renewable energy
EV battery chargers
High voltage DC/DC converters
Switch Mode Power Supplies
Lighting
Gate
(Pin 1)
Driver
Source
(Pin 2)
Power
Source
(Pin 3,4,5,6,7)
Part Number
Package
C3M0120090J
7L D2PAK
Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
VDSmax
VGSmax
VGSop
Drain - Source Voltage
Gate - Source Voltage
Gate - Source Voltage
ID Continuous Drain Current
900
-8/+18
-4/+15
22
14
ID(pulse) Pulsed Drain Current
50
PD Power Dissipation
TJ , Tstg Operating Junction and Storage Temperature
TL Solder Temperature
Note (1): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V
83
-55 to
+150
260
Unit Test Conditions
V VGS = 0 V, ID = 100 μA
V Absolute maximum values
V Recommended operational values
A VGS = 15 V, TC = 25˚C
VGS = 15 V, TC = 100˚C
A Pulse width tP limited by Tjmax
W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C
˚C
˚C 1.6mm (0.063”) from case for 10s
Note
Note (1)
Fig. 19
Fig. 22
Fig. 20
1 C3M0120090J Rev. - , 12-2015




C3M0120090J pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance
35
Conditions:
30
VDS = 20 V
tp < 200 µs
25
20
15
TJ = 150 °C
TJ = 25 °C
TJ = -55 °C
10
5
0
0 2 4 6 8 10 12 14
Gate-Source Voltage, VGS (V)
Figure 7. Transfer Characteristic for
Various Junction Temperatures
-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0
0
VGS = -4 V
VGS = 0 V
VGS = -2 V
-5
-10
-15
-20
-25
-30
Drain-Source Voltage VDS (V)
Conditions:
TJ = 25°C
tp < 200 µs
-35
-40
-45
Figure 9. Body Diode Characteristic at 25 ºC
3.0
Conditons
VGS = VDS
2.5 IDS = 3 mA
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
Junction Temperature TJ (°C)
Figure 11. Threshold Voltage vs. Temperature
-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0
0
VGS = -4 V
VGS = 0 V
-5
-10
-15
VGS = -2 V
-20
-25
-30
Drain-Source Voltage VDS (V)
Conditions:
TJ = -55°C
tp < 200 µs
-35
-40
-45
Figure 8. Body Diode Characteristic at -55 ºC
-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0
0
VGS = -4 V
VGS = 0 V
-5
-10
-15
VGS = -2 V
-20
-25
-30
Drain-Source Voltage VDS (V)
Conditions:
TJ = 150°C
tp < 200 µs
-35
-40
-45
Figure 10. Body Diode Characteristic at 150 ºC
16
Conditions:
IDS = 15 A
12
IGS = 10 mA
VDS = 400 V
TJ = 25 °C
8
4
0
-4
0 4 8 12 16
Gate Charge, QG (nC)
Figure 12. Gate Charge Characteristics
20
4 C3M0120090J Rev. - , 12-2015

4페이지










C3M0120090J 전자부품, 판매, 대치품
Typical Performance
150
Conditions:
TJ = 25 °C
VDD = 400 V
120 IDS = 15 A
VGS = -4V/+15 V
FWD = C3M0120090J
L = 142 μH
90
60
ETotal
EOn
30 EOff
0
0 5 10 15 20 25
External Gate Resistor RG(ext) (Ohms)
Figure 25. Clamped Inductive Switching Energy vs. RG(ext)
30
Conditions:
TJ = 25 °C
25
VDD = 400 V
IDS = 15 A
VGS = -4V/+15 V
FWD = C3M0120090J
20 L = 142 μH
15
10
td(off)
td(on)
tr
5 tf
0
0 5 10 15 20 25
External Gate Resistor RG(ext) (Ohms)
Figure 27. Switching Times vs. RG(ext)
100
Conditions:
IDS = 15 A
VDD = 400 V
80 RG(ext) = 2.5
VGS = -4V/+15 V
FWD = C3M0120090J
L = 142 μH
60
40
ETotal
EOn
20 EOff
0
0 25 50 75 100 125 150
Junction Temperature, TJ (°C)
Figure 26. Clamped Inductive Switching Energy vs.
Temperature
175
Figure 28. Switching Times Definition
7 C3M0120090J Rev. - , 12-2015

7페이지


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