|
|
|
부품번호 | JANTXV2N2060L 기능 |
|
|
기능 | UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR | ||
제조업체 | Microsemi | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
TECHNICAL DATA
UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/270
Devices
2N2060
2N2060L
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Symbol
2N2060
Unit
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
VCEO
VCBO
VEBO
IC
60
100
7.0
500
One Both
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Total Power Dissipation
@ TA = +250C (1)
@ TC = +250C (2)
Section Sections
PT
540 600
1.5 2.12
Operating & Storage Junction Temperature Range
TJ, Tstg
-65 to +200
1) Derate linearly 3.08 mW/0C for TA > 250C for one section, 3.48 mW/0C for both sections
2) Derate linearly 8.6 mW/0C for TC > 250C for one section, 12.1 mW/0C for both sections
mW
W
0C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +250C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage(3)
RBE ≤ 10 Ω, IC = 10 mAdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 30 mAdc
Collector-Base Cutoff Current
V(BR)CER
V(BR)CEO
VCB = 100 Vdc
ICBO
VCB = 80 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
VEB = 7.0 Vdc
VEB = 5.0 Vdc
IEBO
Min.
80
60
TO-78*
*See appendix A for
package outline
Max.
Unit
Vdc
Vdc
10 µAdc
2.0 ηAdc
10 µAdc
2.0 ηAdc
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
Page 1 of 2
| |||
구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ JANTXV2N2060L.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
JANTXV2N2060 | UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR | Microsemi |
JANTXV2N2060L | UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR | Microsemi |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |