PDF 2SD1816 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	2SD1816
Descripción	Silicon NPN Power Transistor
Fabricantes	Inchange Semiconductor
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No Preview Available ! isc Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor 2SD1816 DESCRIPTION ·Excellent linearity of hFE ·Small and slim package facilitating compactness of sets ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Fast switching speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Relay drivers,High speed inverters,converters and other general high-current switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V VEBO Emitter-Base Voltage 6V IC Collector Current-Continuous 4 A ICP Collector Current-Pulse Collector Power Dissipation @ TC=25℃ PC Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ TJ Junction Temperature Tstg Storage Temperature Range 8A 20 W 1.0 W 150 ℃ -55~150 ℃ isc website：www.iscsemi.com 1 isc & iscsemi is registered trademark 1 page

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Hoja de datos destacado

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
2SD1812	NPN Transistor	ROHM Semiconductor
2SD1815	PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors	Sanyo Semicon Device
2SD1815	High-Current Switching Applications	Kexin
2SD1815	Bipolar Transistor	ON Semiconductor

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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