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부품번호 | D1980 기능 |
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기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
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전체 2 페이지수
isc Silicon NPN Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
2SD1980
DESCRIPTION
·Darlington connection for high DC current gain
·Built in resistor between base and emitter
·Built in damper diode
·Complementary PNP types:2SB1316
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Motor drivers,LED driver,Power supply
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
100 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
100 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
6V
IC Collector Current-Continuous 2.0 A
ICM Collector Current-Peak
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
3.0 A
10 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
℃
isc website:www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
D1980 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
D1980 | NPN Transistor - 2SD1980 | ROHM Semiconductor |
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