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부품번호 | MJ3738 기능 |
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기능 | Silicon PNP Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification
MJ3738
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -225V(Min)
·High Switching Speed
APPLICATIONS
·Designed for high voltage switching and amplifier
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
-250
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-225
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5 V
IC Collector Current-Continuous
-0.5 A
PD Total Power Dissipation@TC=25℃ 20 W
TJ Junction Temperature
200 ℃
Tstg Storage Temperature
-65~200 ℃
isc website:www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MJ3738 | Silicon PNP Power Transistor | Inchange Semiconductor |
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