|
|
|
부품번호 | MJD45H11 기능 |
|
|
기능 | Silicon PNP Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
isc Silicon PNP Power Transistors
INCHANGE Semiconductor
MJD45H11
DESCRIPTION
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage
: VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC = 8A
·Fast Switching Speeds
·Complement to Type MJD44H11
·DPAK for Surface Mount Applications
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for general pourpose power amplification and
switching such as output or driver stages in applications
such as switching regulators,converters and power amplifier.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-80 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5 V
IC Collector Current-Continuous
-8 A
ICM Collector Current-Peak
Collector Power Dissipation
PC
@TC=25℃
Collector Power Dissipation
@Ta=25℃
Tj Junction Temperature
-16 A
20
W
1.75
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case
6.25 ℃/W
Rth j-a Thermal Resistance,Junction to Ambient 71.4 ℃/W
isc website:www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
| |||
구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ MJD45H11.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MJD45H11 | Silicon PNP Power Transistor | Inchange Semiconductor |
MJD45H11 | Complementary Power Transistors | Kexin |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |