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MJD47 데이터시트 PDF




Inchange Semiconductor에서 제조한 전자 부품 MJD47은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MJD47 자료 제공

부품번호 MJD47 기능
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
로고 Inchange Semiconductor 로고


MJD47 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MJD47 데이터시트, 핀배열, 회로
isc Silicon NPN Power Transistors
INCHANGE Semiconductor
MJD47
DESCRIPTION
·DC Current Gain -hFE = 30~150@ IC= 0.3A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 250V(Min)
·DPAK for Surface Mount Applications
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for line operated audio output amplifier,switchmode
power supply drivers and other switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
350 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
250 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
1.0 A
ICM Collector Current-Peak
2.0 A
IB Base Current
Collector Power Dissipation
TC=25
PD Collector Power Dissipation
Ta=25
Tj Junction Temperature
0.6 A
15
W
1.56
150
Tstg Storage Temperature Range
-65~150
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
Rth j-a Thermal Resistance,Junction to Ambient
MAX
8.33
80
UNIT
/W
/W
isc websitewww.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark





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