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부품번호 | MJD50 기능 |
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기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
isc Silicon NPN Power Transistors
INCHANGE Semiconductor
MJD50
DESCRIPTION
·DC Current Gain -hFE = 30~150@ IC= 0.3A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 400V(Min)
·DPAK for Surface Mount Applications
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for line operated audio output amplifier,switchmode
power supply drivers and other switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
500 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
400 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
1.0 A
ICM Collector Current-Peak
2.0 A
IB Base Current
Collector Power Dissipation
TC=25℃
PD Collector Power Dissipation
Ta=25℃
Tj Junction Temperature
0.6 A
15
W
1.56
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-65~150
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
Rth j-a Thermal Resistance,Junction to Ambient
MAX
8.33
80
UNIT
℃/W
℃/W
isc website: www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MJD50 | NPN Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild |
MJD50 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | ST Microelectronics |
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