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부품번호 | MJE240 기능 |
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기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
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전체 2 페이지수
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
MJE240
DESCRIPTION
·Collector–Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 80 V(Min)
·DC Current Gain-
: hFE = 40(Min) @ IC= 0.2 A
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat) = 0.3V(Max.)@ IC= 0.5 A
·Complement to the PNP MJE250
APPLICATIONS
·Designed for low power audio amplifier and low-current,
high-speed switching applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
80 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
80 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous
4A
ICM Collector Current-Peak
8A
IB Base Current
Collector Power Dissipation
PC
Ta=25℃
Collector Power Dissipation
TC=25℃
Ti Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
1
1.5
15
150
-65~150
A
W
℃
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
8.34 ℃/W
Rth j-a Thermal Resistance,Junction to Ambient 83.4 ℃/W
isc Website:www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ MJE240.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MJE240 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | Central Corp |
MJE240 | (MJE2xx) COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | Motorola Semiconductors |
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