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부품번호 | MJE340 기능 |
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기능 | NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR | ||
제조업체 | CDIL | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR
MJE340
TO126
Plastic Package
ECB
For use in High Voltage General Purpose Applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
Collector Emitter Voltage
Collector Base Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current Continuous
Power Dissipation @ Ta=25ºC
Derate above 25ºC
Power Dissipation @ Tc=25ºC
Derate above 25ºC
Operating And Storage Junction
Temperature Range
SYMBOL
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
Tj, Tstg
VALUE
300
300
3.0
500
1.25
10
20
0.16
- 65 to +150
THERMAL CHARACTERISTICS
Junction to Ambient in free air
Junction to Case
Rth (j-a)
Rth (j-c)
100
6.25
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL TEST CONDITION
Collector Emitter Sustaining Voltage
*VCEO (sus)
IC=1mA, IB=0
Collector Cut Off Current
ICBO VCB=300V, IE=0
Emitter Cut Off Current
IEBO
VEB=3V, IC=0
DC Current Gain
hFE IC=50mA, VCE=10V
MIN
300
30
UNIT
V
V
V
mA
W
mW/ºC
W
W/ºC
ºC
ºC/W
ºC/W
MAX
100
100
240
UNIT
V
µA
µA
Continental Device India Limited
Data Sheet
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MJE340 | 0.5 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 300 VOLTS 20 WATTS | Motorola Semiconductors |
MJE340 | COMPLEMETARY SILICON POWER TRANSISTORS | ST Microelectronics |
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