|
|
|
부품번호 | KTB1366 기능 |
|
|
기능 | PNP Transistor | ||
제조업체 | WEJ | ||
로고 | |||
전체 1 페이지수
RoHS
KTB1366
TO-220F
KTB1366 TRANSISTOR (PNP)
DFEATURES
Power dissipation
TPCM:
2 W (Tamb=25℃)
.,LCollector current
ICM: -3
Collector-base voltage
A
OV(BR)CBO:
-60 V
Operating and storage junction temperature range
CTJ, Tstg: -55℃ to +150℃
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
123
ICELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
NCollector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
OEmitter-base breakdown voltage
RCollector cut-off current
TEmitter cut-off current
CDC current gain
ECollector-emitter saturation voltage
LBase-emitter voltage
ETransition frequency
Collector output capacitance
JFall time
EStorage time
WCLASSIFICATION OF hFE(1)
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
VCE(sat)
VBE
fT
Cob
tf
ts
Test conditions
Ic=-1mA, IE=0
Ic=-50mA, IB=0
IE=-1mA, IC=0
VCB=-60V, IE=0
VEB=-7V, IC=0
VCE=-5V, IC=-0.5A
VCE=-5V, IC=-3A
IC=-2A, IB=-0.2A
VCE=-5V, IC=-0.5A
VCE=-5V, IC=-0.5A
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
IC=-2A, IB1=-IB2=-0.2A
VCC=-30V
MIN TYP MAX UNIT
-60 V
-60 V
-7 V
-100 µA
-100 µA
60 200
20
-1 V
-1 V
9 MHz
150 pF
0.5 µs
1.7 µs
Rank
O
Y
Range
60-120
100-200
Marking
| |||
구 성 | 총 1 페이지수 | ||
다운로드 | [ KTB1366.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
KTB1366 | PNP Transistor | WEJ |
KTB1366 | Silicon PNP Power Transistors | Inchange Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |