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PDF KTB778 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | KTB778 | |
| Descripción | Silicon PNP Power Transistors | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -120V(Min)
·Good Linearity of hFE
·Complement to Type KTD998
APPLICATIONS
·High power amplifier applications
·Recommend for 45-50W audio frequency amplifier
output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
-120
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-120
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5 V
IC Collector Current-Continuous
-10
A
IB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
-1 A
80 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃
isc Product Specification
KTB778
isc website：www.iscsemi.com
isc & iscsemi is registered trademark
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| KTB772 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING) | .gif){kind=logo} KEC(Korea Electronics) |
| KTB772 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |  KEC |
| KTB778 | Silicon PNP Power Transistors | Inchange Semiconductor |
| KTB778 | TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR | KEC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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